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      當前位置:首頁產品中心霍爾效應霍爾效應測量系統 L79/HCS

      霍爾效應測量系統 L79/HCS

      產品簡介:霍爾效應測量系統 L79/HCS系統可用于半導體組件性能表征,包括:遷移率,電阻率,載流子濃度和霍爾常數。

      產品型號:

      更新時間:2025-07-14

      廠商性質:生產廠家

      訪問量:3718

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      產品介紹

      霍爾效應測量系統 L79/HCS 介紹:

      基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫(液氮)附件結合高溫爐(zui高溫度可達240°C)可保證所有應用領域環境條件下的測試。永磁體和電磁鐵可提供高達數個特斯拉強度的固定或者可變磁場。

      基于測量軟件可顯示的視窗內容包括I-V和I-R數據圖。

      系統可測試多種材料包括Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型或P型均可測量),金屬膜,氧化物等,樣品測試時便可完成系統功能演示。


      霍爾效應測量系統 L79/HCS 特點:

      •載流子濃度

      •電阻率

      •遷移率

      •電導率

      •α(水平電阻值/垂直電阻值)

      •霍爾常數

      •磁致電阻


      技術參數:

      輸入電流:500nA到10mA (500nA步長)

      霍爾電壓:0.5到4.5V

      極限分辨率:65pV

      樣品形狀:15x15,20x20,25x25mm,高度可達5mm

      磁場強度:可達 1T

      傳感器:液氮溫度到240°C

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